场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，常用于放大电路和开关电路中。它具有许多参数，每个参数都对其性能有重要影响。下面是场效应管的一些重要参数：

1. 饱和漏极电流（Idss）：指场效应管漏极电流的最大值，当栅极-源极间电压为零时。

2. 零场效应漏极电流（Idon）：在栅极和源极之间的电压很小时，漏极电流的最小值。

3. 耦合电容（Ciss）：指场效应管的输入电容，是栅极和源极之间的电容。

4. 输出电容（Coss）：指场效应管的输出电容，是漏极和源极之间的电容。

5. 反向传输导纳（Yfs）：也称跨导，是输入电压与输出电流之间的变化率。

6. 耗散功率（Pd）：场效应管能够承受的最大功率，过大的功率会使其过热损坏。

7. 最大漏极-源极电压（Vdsmax）：场效应管能够承受的最大电压。

8. 阈值电压（Vth）：场效应管开始导通的电压，也称开启电压。

9. 偏置电流（Ig）：栅极与源极之间的漏极电流，也称门极漏电流。

10. 转导（gm）：是场效应管的增益参数，表示输出电流与输入电压之间的变化率。

以上是场效应管的一些重要参数，它们决定了场效应管的工作性能和应用范围。在实际电路设计中，需要根据不同的要求选择合适的场效应管，以确保电路稳定可靠地工作。

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