PMOS和NMOS是MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的两种基本类型。它们在现代集成电路设计中起着至关重要的作用。PMOS和NMOS具有不同的电流方向和工作区分析，下面我们来详细解释。

首先，让我们看看PMOS和NMOS的电流方向。在PMOS中，电流的方向是从漏极（Drain）流出到源极（Source）。而在NMOS中，电流的方向是从源极流出到漏极。这是因为在PMOS中，N-沟道被P型基底包围，而在NMOS中，P-沟道被N型基底包围。这个区别导致了电荷载流子的不同流动方向。

接下来，让我们看看PMOS和NMOS的工作区分析。PMOS和NMOS分别工作在p型基底和n型基底中，对电荷载流子的迁移进行控制。PMOS的基极电压为负，当漏极电压为高电平，源极电压为低电平时，PMOS导通；反之漏极电压为低电平，源极电压为高电平时，PMOS截止。而对于NMOS来说，基极电压为正，当源极电压为低电平，漏极电压为高电平时，NMOS导通；反之源极电压为高电平，漏极电压为低电平时，NMOS截止。

总的来说，PMOS和NMOS在电流方向和工作区分析上有着明显的差异。这种差异帮助工程师们在集成电路设计中选择合适的晶体管类型以实现所需的功能。深入了解PMOS和NMOS的工作原理以及特性，可以帮助工程师们更好地设计和优化集成电路。