MOS管，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种关键的半导体器件，在电子学中有着广泛的应用。MOS管由n型MOS管和p型MOS管两种类型，分别被称为nMOS和pMOS管。

首先，让我们来了解一下nMOS管和pMOS管的工作原理。在一个MOS管中，通过在半导体衬底上增加一个绝缘层，形成MOS结构，从而实现对电流的控制。在nMOS管中，n型半导体衬底上覆盖了一个p型掺杂层，称为源极和漏极之间的沟道区域。而在pMOS管中，p型衬底上则覆盖了一个n型掺杂层。

接下来，我们将会讨论nMOS和pMOS管的特点和区别。nMOS管在导通状态下，需要一个正电平作用在栅极上，从而形成一个电场，使得n型衬底中的电子被吸引到沟道区域，电荷得以流通。与此相反，pMOS管在导通状态下需要一个负电平作用在栅极上，以形成一个电场，从而吸引空穴在沟道区域中流通。因此，nMOS管是通过正电压控制电流，而pMOS管是通过负电压控制电流。

除了工作原理和控制电流的方式不同之外，nMOS和pMOS管在应用上也有些许区别。nMOS管常用于数字电路中，如逻辑门和存储器等。因为nMOS管在导通状态下通道中的电子流量大，能够提供较高的电流输出。而pMOS管则常用于模拟电路中，如功率放大器和滤波器等。pMOS管的导通特性使得其在模拟电路中表现出色。

综上所述，MOS管是一种重要的半导体器件，nMOS和pMOS管则作为其两种主要类型，在电子学中有着各自独特的应用。通过充分了解nMOS和pMOS管的特点和工作原理，我们可以更好地理解和应用这些关键的半导体器件。