SiC（碳化硅）MOSFET是一种新型的功率半导体器件，具有高温性能、高频特性和高功率密度等优势，因此在各种领域的功率电子应用中得到广泛应用。然而，由于SiC MOSFET的特性，其在实际应用中可能会出现输出短路的情况，对设备和系统造成损坏。

为了保护SiC MOSFET的输出端，设计一个有效的短路保护电路是至关重要的。该短路保护电路需要能够快速检测输出端的短路情况，并在出现问题时迅速切断电路，以避免进一步损坏设备和系统。

一种常见的SiC MOSFET输出短路保护电路设计是采用过流保护器。过流保护器可以监测电路中的电流，并在电流超过设定阈值时切断电路。这样就可以有效防止输出短路造成的过大电流流过SiC MOSFET，从而保护器件不受损坏。

除了过流保护器之外，还可以考虑使用过压保护器和过温保护器等设备，以提高短路保护的可靠性。过压保护器可以监测输出端的电压，当电压超过设定阈值时切断电路，过温保护器可以监测SiC MOSFET的温度，当温度过高时切断电路。

需要注意的是，短路保护电路设计要根据具体应用场景和要求进行调整，考虑到系统的稳定性、效率和安全性等因素。同时，还要对保护电路进行充分测试和验证，确保其在实际应用中能够可靠地保护SiC MOSFET的输出端。

总的来说，SiC MOSFET输出短路保护电路设计是一项重要的工作，可以有效保护器件和系统不受输出短路带来的损害。通过合理设计和选择合适的保护器件，可以提高SiC MOSFET系统的可靠性和稳定性，满足不同应用的需求。