MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）管是一种常见的半导体器件，用于控制电流流动。它由金属-氧化物-半导体三层结构组成，通过不同电场的控制，实现电流的导通和截流。MOS管最常见的类型包括MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）和CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）。

MOS管的基本原理是通过控制栅极（Gate）电压来改变沟道的电荷密度，从而控制导通。当栅极电压高于阈值电压时，形成电子或空穴的导通路径，使得电流可以流过。当栅极电压低于阈值电压时，导通路径被截断，电流无法流通。

要正确导通MOS管，首先需要确定其工作模式。对于N沟道MOSFET，当栅极电压高于阈值电压时，栅极和漏极之间形成导通通道，电流可以通过。而对于P沟道MOSFET，则是当栅极电压低于阈值电压时才能导通。

另外，要正确导通MOS管还需要注意以下几点：
1. 控制栅极电压：应确保栅极电压高于或低于阈值电压，以达到导通或截流的目的。
2. 输送端极性：对于N沟道MOSFET，漏极为负，源极为正；而对于P沟道MOSFET则相反。
3. 考虑电路连接：正确连接栅极、漏极和源极至电路中，以实现所需的功能。

总的来说，MOS管是一种重要的半导体器件，能够在电路中实现信号放大、逻辑运算等功能。正确掌握MOS管的导通原理和导通方式，能够有效地提高电路性能和可靠性。