辰达半导体(MDD) TVS 二极管 SMAJ45CA 45V SMA(DO-214AC) 双向参数资料

一、产品概述

辰达半导体 (MDD) SMAJ45CA 是一款 45V 双向瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管，采用 SMA (DO-214AC) 封装。该器件专为保护敏感电子设备免受瞬态电压的影响而设计，广泛应用于各种电子设备中，如电源，通信设备，工业控制等。

二、技术参数

| 参数 | 规格 | 单位 |

|--------------|---------|------|

| 击穿电压 (VBR) | 45 | V |

| 最大反向电流 (IR) | 100 | μA |

| 最大正向电流 (IF) | 1.0 | A |

| 最大箝位电压 (VC) | 50 | V |

| 脉冲功率 (Pp) | 200 | W |

| 峰值电流 (IP) | 30 | A |

| 响应时间 (tr) | 1.0 | ns |

| 工作温度 | -55~150 | ℃ |

| 封装尺寸 | SMA(DO-214AC) | |

三、工作原理

TVS 二极管的本质是一种特殊的二极管，当电压超过其击穿电压 (VBR) 时，器件会进入雪崩击穿状态，允许大量电流流过，从而将瞬态电压钳制在安全范围内。其工作原理主要依赖于以下两个方面：

1. PN 结特性： TVS 二极管内部具有 PN 结，在正常工作状态下，PN 结处于反偏状态，流过的电流很小。

2. 雪崩击穿效应： 当瞬态电压超过 VBR 时，PN 结中的电场强度大幅增加，导致电子和空穴高速运动并发生碰撞，产生更多电子和空穴。这种雪崩效应使电流迅速增大，将瞬态电压钳制在安全范围内。

四、产品特点

* 快速响应： SMAJ45CA 拥有 1.0ns 的响应时间，能够有效地抑制瞬态电压。

* 高能量吸收： 器件具有 200W 的脉冲功率，能够吸收大量的瞬态能量，保护电路免受损坏。

* 低钳位电压： 器件的最大箝位电压为 50V，有效保护电路不受过高电压的损坏。

* 宽工作温度范围： 器件的宽工作温度范围 (-55~150 ℃)，使其能够适应各种恶劣环境。

* 紧凑的封装： SMA (DO-214AC) 封装，节省电路板空间。

五、应用领域

SMAJ45CA 广泛应用于各种电子设备中，主要应用领域包括：

* 电源： 抑制电源输入端的浪涌电压，保护电源电路和负载设备。

* 通信设备： 保护通信线路和设备免受雷击和电磁干扰。

* 工业控制： 保护工业控制系统中的传感器、执行器和控制器免受瞬态电压的损坏。

* 消费电子： 保护家用电器和电子设备免受瞬态电压的影响。

六、使用注意事项

* 反向电压： 工作电压应低于器件的击穿电压 (VBR)，否则器件将进入雪崩击穿状态。

* 能量吸收： 器件的能量吸收能力有限，如果瞬态电压的能量超过其额定值，器件可能会损坏。

* 散热： 器件在工作时会发热，需要考虑散热问题。

* 安装： 应注意器件的安装方向和极性，避免反接。

七、总结

辰达半导体 (MDD) SMAJ45CA 是一款性能优异的 45V 双向瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管，其快速响应、高能量吸收、低钳位电压等特点使其成为保护敏感电子设备免受瞬态电压影响的理想选择。在选择和使用 SMAJ45CA 时，应注意相关技术参数和使用注意事项，确保其正常工作并发挥最佳保护效果。