辰达半导体(MDD)TVS二极管 SMBJ75A 75V SMB(DO-214AA) 单向参数资料

1. 简介

辰达半导体(MDD)SMBJ75A 75V SMB(DO-214AA) 单向瞬态电压抑制二极管（TVS）是一种小型表面贴装器件，旨在保护敏感电子设备免受瞬态电压的影响。它采用 SMB（DO-214AA）封装，具有低钳位电压、快速响应时间和高能量吸收能力等特性，广泛应用于各种电子设备中，例如：电源电路、通信设备、工业控制、汽车电子等。

2. 主要参数

* 型号：SMBJ75A

* 封装：SMB (DO-214AA)

* 钳位电压 (Vcl)：75V

* 反向工作电压 (VRWM)：75V

* 峰值脉冲功率 (IPP)：1500W

* 最大反向电流 (IR)：100uA

* 响应时间 (tr)：1ns

* 工作温度范围：-65℃ ~ +150℃

* 存储温度范围：-65℃ ~ +150℃

3. 工作原理

SMBJ75A TVS 二极管利用 PN 结的雪崩效应来实现瞬态电压的抑制。当瞬态电压超过器件的钳位电压 (Vcl) 时，PN 结中的载流子迅速增加，形成雪崩效应，使电流迅速增加并限制电压上升，从而保护电路免受高压损坏。

4. 优缺点分析

优点：

* 低钳位电压：SMBJ75A 拥有较低的钳位电压，可以有效抑制瞬态电压，保护敏感电路免受损坏。

* 快速响应时间：响应时间仅为 1ns，可以快速响应瞬态电压，防止高压对电路造成长时间的影响。

* 高能量吸收能力：拥有 1500W 的峰值脉冲功率，可以吸收较大的能量，有效抵御强烈的瞬态电压。

* 体积小巧：SMB (DO-214AA) 封装体积小巧，易于在各种电路中进行安装和使用。

* 工作温度范围广：工作温度范围宽泛，适应各种环境温度。

缺点：

* 单向性：SMBJ75A 只能抑制单方向的瞬态电压，对于双向瞬态电压需要使用双向 TVS 二极管。

* 泄漏电流：在反向偏置状态下，器件会存在一定的泄漏电流。

* 有限的能量吸收能力：虽然能量吸收能力较高，但对于非常强烈的瞬态电压，器件可能会被击穿。

5. 应用范围

SMBJ75A 广泛应用于各种电子设备中，例如：

* 电源电路：保护电源电路免受雷击、开关电源噪声等瞬态电压的影响。

* 通信设备：保护通信设备免受雷击、静电放电 (ESD) 等瞬态电压的影响。

* 工业控制：保护工业控制设备免受电机启动、负载切换等瞬态电压的影响。

* 汽车电子：保护汽车电子设备免受电磁干扰、静电放电等瞬态电压的影响。

6. 使用注意事项

* 在设计电路时，应根据电路的实际情况选择合适的 TVS 二极管，并留出足够的裕量。

* TVS 二极管的钳位电压应低于被保护设备的耐压值。

* TVS 二极管的能量吸收能力应大于瞬态电压的能量。

* 在使用 TVS 二极管时，应注意其封装尺寸、安装方向和极性。

* 在进行电路调试时，应注意 TVS 二极管的工作状态，避免器件被击穿。

7. 总结

辰达半导体(MDD)SMBJ75A 75V SMB(DO-214AA) 单向瞬态电压抑制二极管是一种性能优良的器件，具有低钳位电压、快速响应时间和高能量吸收能力等优点，适用于各种电子设备的瞬态电压抑制。在使用时，应注意选择合适的型号和参数，并采取必要的措施，确保电路的安全运行。