辰达半导体 (MDD) TVS 二极管 SMCJ36A 36V SMC(DO-214AB) 单向参数资料详解

一、概述

辰达半导体 (MDD) SMCJ36A 36V SMC(DO-214AB) 单向瞬态电压抑制二极管 (TVS) 是一种表面贴装型器件，其设计旨在保护敏感电子设备免受瞬态电压的损坏。该器件采用 SMC (DO-214AB) 封装，适用于各种应用，例如电源线路、通信设备、工业控制和消费电子产品。

二、主要参数

| 参数名称 | 参数值 | 单位 |

|---|---|---|

| 工作电压 (VRWM) | 36 | V |

| 峰值反向工作电压 (VRSM) | 40 | V |

| 最大反向电流 (IR) | 100 | μA |

| 峰值脉冲电流 (IPP) | 12 | A |

| 峰值脉冲功率 (PP) | 432 | W |

| 钳位电压 (VC) | 45 | V |

| 响应时间 (tr) | 1 | ns |

| 电容 (C) | 5 | pF |

| 工作温度范围 | -55°C ~ +150°C | °C |

| 封装 | SMC (DO-214AB) | - |

三、功能原理

SMCJ36A TVS 二极管的工作原理基于雪崩效应。当施加在器件上的电压超过其击穿电压 (VC) 时，器件内部的雪崩效应被触发，导致电流迅速上升，将过电压钳制在预定的水平。这就像一个安全阀，在电压过高时打开，将多余的能量释放出去，从而保护连接的电路免受损坏。

四、特点

* 高压钳位性能: 该器件可以将瞬态电压钳制在预定的水平，有效保护敏感电路免受电压尖峰的损坏。

* 快速响应速度: 响应时间仅为 1 纳秒，能够快速抑制瞬态电压。

* 低钳位电压: 钳位电压仅为 45 伏，最大程度降低了对电路的干扰。

* 高功率处理能力: 峰值脉冲功率可达 432 瓦，能够有效地吸收瞬态能量。

* 高可靠性: 采用 SMC (DO-214AB) 封装，具有优异的可靠性和耐久性。

* 广泛的应用范围: 适用于各种电子产品，包括电源线路、通信设备、工业控制和消费电子产品。

五、应用领域

* 电源线路保护: 用于保护敏感电子设备免受电源线路上的浪涌电压和瞬态电压的损坏。

* 通信设备保护: 用于保护无线通信设备、网络设备和数据中心设备免受雷击和静电放电的损坏。

* 工业控制保护: 用于保护工业控制设备、电机驱动器和传感器免受电压尖峰和干扰的损坏。

* 消费电子产品保护: 用于保护笔记本电脑、手机、平板电脑等消费电子产品免受电源线路和静电放电的损坏。

六、工作原理分析

SMCJ36A TVS 二极管是一种单向器件，其工作原理是利用 PN 结的雪崩效应来抑制瞬态电压。当反向电压施加到器件时，如果电压低于击穿电压 (VC)，器件将处于高阻抗状态，几乎没有电流流过。

当反向电压超过击穿电压时，PN 结内部的雪崩效应被触发，导致电流迅速上升，将电压钳制在预定的水平。此时，器件处于低阻抗状态，允许大电流流过，并将过电压能量释放出去。

七、设计注意事项

* 选择合适的 TVS 二极管: 需根据待保护电路的电压等级和电流容量选择合适的 TVS 二极管。

* 正确安装: TVS 二极管应安装在靠近待保护器件的位置，并确保连接路径尽可能短。

* 保护电路设计: 应考虑 TVS 二极管的特性，设计合适的保护电路，以防止电流过载或短路。

* 环境温度: TVS 二极管的工作温度范围应与实际应用环境相匹配。

八、总结

辰达半导体 (MDD) SMCJ36A 36V SMC(DO-214AB) 单向 TVS 二极管是一种高性能、高可靠性的器件，能够有效地保护敏感电子设备免受瞬态电压的损坏。其高压钳位性能、快速响应速度和低钳位电压使其成为电源线路、通信设备、工业控制和消费电子产品等各种应用的理想选择。在设计电路时，应充分考虑 TVS 二极管的特性，并选择合适的器件和安装方式，以确保其最佳性能和可靠性。

九、参考文献

* 辰达半导体 (MDD) 数据手册

* Transient Voltage Suppression (TVS) Diode Fundamentals - Infineon Technologies

* Understanding TVS Diodes and Their Applications - Texas Instruments

十、免责声明

本文档仅供参考之用，不构成任何商业建议或法律意见。实际应用中请参照辰达半导体 (MDD) 提供的官方数据手册和产品说明。