Transphorm发布了其第二款900V氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），该产品是其系列化的GaN解决方案中的一员。这款新型FET具有更高的开关性能和电气性能，同时拥有更低的开关和过渡损失。

据Transphorm称，这款900V GaN FET的改进主要是针对其电源转换应用，该应用在未来的工业、通讯和IT设备中具有更好的利用前景。该产品的特性包括低的导通电阻和低的Switching Losses，使得其能够承载更大的电流和功率。

这款新型GaN FET也是Transphorm的EPC90101系列中的一员。EPC90101系列的其他成员是其第一款900V GaN FET，同时还包括马达驱动器和射频功率转换器等产品。这些解决方案针对的是高增长的电源转换领域，该领域在推动更高效的能源使用和EXK要求方面具有重要作用。

此外，Transphorm同时还提供针对其GaN产品的技术支持以及一系列的应用指导和测试工具。这些工具可以帮助客户更好地理解Transphorm的GaN技术并加快其在市场上的上市速度。

总之，Transphorm的新一代900V GaN FET解决方案将能够满足传输互联网、工业和商业市场中的对于更快速、更节能的能源转换需求，并将在未来的技术领域发挥更加重要的作用。