Transphorm在近日宣布推出了其最新产品——第二款900V GaN FET，这项技术是为汽车、数据中心、医疗以及太阳能等领域的能源相关应用设计的。这一产品具有高效性、高密度、高可靠性、高频率和减少损耗等特点，适用于电源系统和电源转换设备的要求。

据悉，这款900V GaN FET是通过使用Transphorm的EZ-GaN技术和相关工艺实现的。与其前一款产品相比，这款900V GaN FET的关键电气参数得到显著提高，包括电导、漏电子和容量。

Transphorm公司表示，该产品提供了极高的电源密度，创造了更高效的、更紧凑的解决方案，从而将能耗和硬件成本降低。这一指标对于各种领域的更高效能源使用至关重要。

同时，这款900V GaN FET还拥有ESD和电磁兼容性等严格的可靠性要求。由于近年来社会对节能和环保意识的提高，能源相关领域的技术研究越来越受到公众关注。而Transphorm的这一新产品恰好满足了市场变化的需求。

据了解，EZ-GaN技术相比于其他GaN技术，具有更好的控制性能和可靠性。在过去的几年中，EZ-GaN技术得到了广泛应用，为高效电力转换设备和系统的性能提升做出了突出贡献。

作为行业领军者之一，Transphorm一直致力于推动GaN技术的发展和应用，同时也密切关注能源相关领域的市场变化和需求。这款900V GaN FET的面世，标志着Transphorm在高功率半导体器件领域的技术实力和创新能力又有了新的突破。随着市场需求的不断升级，Transphorm未来将继续努力，推动高效高可靠性的电源系统技术的发展，为实现更加环保和可持续的社会发展贡献更多力量。