CMOS（互补金属氧化物半导体）电路的ESD（静电放电）保护结构设计是非常重要的，以防止CMOS器件在静电放电事件中受到损坏。以下是常见的CMOS电路ESD保护结构设计：

1. 二极管保护：

• CMOS电路通常使用二极管作为基本的ESD保护元件。在输入/输出端口或电源线上添加反并联的二极管，使其在ESD事件中形成一个路径，将静电能量引导到地。

2. NPN/PNP二极管结构：

• 进一步提高ESD保护能力，可以使用NPN/PNP二极管结构。这种结构由NPN和PNP二极管串联而成，形成一个二极管堆叠。这提供了更高的ESD保护等级。

3. SCR（双向触发晶闸管）结构：

• 为了提供更强大的ESD保护，SCR结构也被广泛使用。SCR结构包括NPN和PNP晶体管，具有双向触发能力，可以在ESD事件中迅速导通并释放静电能量。

4. 金属氧化物闸源二极管（MOSFET）：

• MOSFET也可用于ESD保护。将N型MOSFET或P型MOSFET的栅极与CMOS电路的输入/输出连接，使其在ESD事件中导通。这种方式可以提供更高的ESD保护水平。

5. 多电压ESD保护：

• 在一些高度敏感的CMOS电路中，采用多电压ESD保护结构。通过使用多个电源电压，可以提供更大的工作范围和更高的ESD保护水平。

6. 电流源结构：

• 引入电流源结构可以限制ESD电流，防止它超过器件的承受范围。电流源可以与其他ESD保护结构一起使用，提供更精细的电流控制。

7. 遏制电流限制电阻：

• 在ESD保护路径中加入遏制电流限制电阻，可以有效地控制ESD电流的幅度，减缓ESD事件的上升速度，有助于减轻ESD对器件的损害。

8. ESD保护网络：

• 将上述不同类型的ESD保护结构组合成一个完整的ESD保护网络。这种网络可以在不同的ESD事件下提供更全面的保护。

9. 电源钳位结构：

• 通过使用电源钳位结构，可以限制CMOS电路的电源电压范围，从而增加对ESD的耐受性。

设计有效的ESD保护结构需要根据具体应用的需求和工作环境来选择合适的方案。通常，设计工程师会根据设备的使用场景、性能要求以及工艺制程等因素来确定最合适的ESD保护设计。