辰达半导体(MDD)TVS二极管 SMBJ78A 78V SMB(DO-214AA) 单向参数资料
一、概述
SMBJ78A是辰达半导体(MDD)生产的一款单向瞬态电压抑制二极管 (TVS),属于SMB系列,封装为SMB(DO-214AA)。该二极管具有78V的击穿电压,适用于保护敏感电子元件免受瞬态电压的影响,例如静电放电 (ESD) 和电磁干扰 (EMI)。
二、产品特点
* 击穿电压:78V,用于保护需要该电压等级的电子元件。
* 封装:SMB(DO-214AA),小型封装,便于集成到电路板。
* 单向:仅对一个方向的电压提供保护。
* 快速响应时间:快速响应瞬态电压,有效保护敏感元件。
* 低钳位电压:有效抑制瞬态电压,防止元件损坏。
* 高功率能力:能够承受高功率脉冲,提供可靠的保护。
* 低漏电流:在正常工作状态下,漏电流非常低,节省功耗。
* 广泛应用于:消费电子、工业控制、汽车电子、医疗设备等领域。
三、参数说明
| 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 击穿电压 (VBR) | 78 | 84 | V | 二极管开始导通时的电压 |
| 钳位电压 (VC) | 86 | 94 | V | 二极管导通时的电压 |
| 反向漏电流 (IR) | 10 | 50 | μA | 二极管反向偏置时的电流 |
| 正向电流 (IF) | 1 | - | A | 二极管正向导通时的电流 |
| 功率耗散 (PD) | 500 | - | mW | 二极管的最大功率 |
| 响应时间 (tr) | 1 | - | ns | 二极管对瞬态电压的响应时间 |
| 工作温度 (TOP) | -55 | +150 | °C | 二极管的工作温度范围 |
| 存储温度 (TST) | -65 | +150 | °C | 二极管的存储温度范围 |
四、工作原理
TVS二极管的工作原理基于 PN 结的雪崩击穿现象。当二极管反向偏置时,其PN结中的电场强度会增加。当电场强度超过某个临界值时,PN结中的载流子会获得足够的能量,与晶格碰撞并产生新的载流子,从而形成雪崩效应。此时,二极管的电流会急剧增加,钳位电压会迅速下降,将瞬态电压限制在安全范围内,保护后面的元件。
五、应用领域
SMBJ78A TVS二极管可广泛应用于各种电子设备,例如:
* 消费电子:智能手机、平板电脑、笔记本电脑、电视机、音响设备等。
* 工业控制:工业自动化设备、数控机床、机器人、PLC 等。
* 汽车电子:车载娱乐系统、车身控制系统、发动机控制系统等。
* 医疗设备:医疗诊断仪器、治疗设备、监护仪等。
* 电源系统:电源适配器、充电器、开关电源等。
六、使用方法
SMBJ78A TVS二极管的接线方式很简单,通常采用反向并联的方式接在需要保护的电路或元件上。当瞬态电压发生时,二极管会导通并吸收瞬态能量,从而保护元件不受损坏。
七、注意事项
* 选择合适的击穿电压:选择与被保护元件的电压等级相匹配的TVS二极管。
* 考虑功率能力:选择能承受预期瞬态能量的TVS二极管。
* 正确接线:确保TVS二极管的正负极接线正确。
* 防止过热:确保TVS二极管的散热良好,防止过热损坏。
八、总结
辰达半导体(MDD) SMBJ78A TVS二极管是一款性能优良、应用广泛的保护元件,能够有效保护敏感电子元件免受瞬态电压的影响。在选择和使用该产品时,需要根据实际应用情况,仔细阅读相关资料并采取必要的防护措施,确保其安全可靠地工作。
九、参考资源
* 辰达半导体官网:mddsemi/
* SMBJ78A 数据手册:mddsemi/products/smdj78a/
* TVS 二极管相关知识:allaboutcircuits/technical-articles/understanding-transient-voltage-suppression-diodes-tvs-diodes/
十、关键词
辰达半导体, MDD, TVS二极管, SMBJ78A, 78V, SMB, DO-214AA, 单向, 瞬态电压抑制, 静电放电, 电磁干扰, 击穿电压, 钳位电压, 反向漏电流, 正向电流, 功率耗散, 响应时间, 工作温度, 存储温度, 应用领域, 使用方法, 注意事项