辰达半导体(MDD)TVS二极管 SMBJ78A 78V SMB(DO-214AA) 单向参数资料-BOM电子元器件商城

二、产品特点

* 击穿电压：78V，用于保护需要该电压等级的电子元件。

* 封装：SMB(DO-214AA)，小型封装，便于集成到电路板。

* 单向：仅对一个方向的电压提供保护。

* 快速响应时间：快速响应瞬态电压，有效保护敏感元件。

* 低钳位电压：有效抑制瞬态电压，防止元件损坏。

* 高功率能力：能够承受高功率脉冲，提供可靠的保护。

* 低漏电流：在正常工作状态下，漏电流非常低，节省功耗。

* 广泛应用于：消费电子、工业控制、汽车电子、医疗设备等领域。

三、参数说明

| 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 说明 |

|---|---|---|---|---|

| 击穿电压 (VBR) | 78 | 84 | V | 二极管开始导通时的电压 |

| 钳位电压 (VC) | 86 | 94 | V | 二极管导通时的电压 |

| 反向漏电流 (IR) | 10 | 50 | μA | 二极管反向偏置时的电流 |

| 正向电流 (IF) | 1 | - | A | 二极管正向导通时的电流 |

| 功率耗散 (PD) | 500 | - | mW | 二极管的最大功率 |

| 响应时间 (tr) | 1 | - | ns | 二极管对瞬态电压的响应时间 |

| 工作温度 (TOP) | -55 | +150 | °C | 二极管的工作温度范围 |

| 存储温度 (TST) | -65 | +150 | °C | 二极管的存储温度范围 |

四、工作原理

TVS二极管的工作原理基于 PN 结的雪崩击穿现象。当二极管反向偏置时，其PN结中的电场强度会增加。当电场强度超过某个临界值时，PN结中的载流子会获得足够的能量，与晶格碰撞并产生新的载流子，从而形成雪崩效应。此时，二极管的电流会急剧增加，钳位电压会迅速下降，将瞬态电压限制在安全范围内，保护后面的元件。

五、应用领域

SMBJ78A TVS二极管可广泛应用于各种电子设备，例如：

* 消费电子：智能手机、平板电脑、笔记本电脑、电视机、音响设备等。

* 工业控制：工业自动化设备、数控机床、机器人、PLC 等。

* 汽车电子：车载娱乐系统、车身控制系统、发动机控制系统等。

* 医疗设备：医疗诊断仪器、治疗设备、监护仪等。

* 电源系统：电源适配器、充电器、开关电源等。

六、使用方法

SMBJ78A TVS二极管的接线方式很简单，通常采用反向并联的方式接在需要保护的电路或元件上。当瞬态电压发生时，二极管会导通并吸收瞬态能量，从而保护元件不受损坏。

七、注意事项

* 选择合适的击穿电压：选择与被保护元件的电压等级相匹配的TVS二极管。

* 考虑功率能力：选择能承受预期瞬态能量的TVS二极管。