辰达半导体(MDD)TVS二极管 SMBJ8.0A 8V SMB(DO-214AA) 单向参数资料解析

一、产品概述

辰达半导体(MDD)SMBJ8.0A 8V SMB(DO-214AA) 单向TVS二极管是一款高性能、高可靠性的瞬态电压抑制器(TVS)，专门用于保护敏感电子元件免受瞬态电压尖峰的损坏。它采用先进的SMBJ封装技术，具有优异的瞬态电压抑制性能、快速响应速度和高能量吸收能力，适用于各种电子电路的过电压保护。

二、产品参数

| 参数 | 符号 | 单位 | 典型值 | 最大值 |

|--------------|------|------|---------|---------|

| 反向工作电压 | VRWM | V | 8 | 8.5 |

| 最大反向电流 | IR | μA | 10 | 100 |

| 峰值脉冲电流 | IPP | A | 8 | 8 |

| 钳位电压 | VC | V | 15.5 | 20 |

| 响应时间 | tr | ns | 1 | 5 |

| 结电容 | CJ | pF | 2 | 4 |

| 工作温度 | TO | °C | -55 | 150 |

三、产品特性

* 高瞬态电压抑制能力：SMBJ8.0A 8V 能够有效地抑制瞬态电压尖峰，保护电子元件免受损坏。

* 快速响应速度：其响应时间仅为1ns，可以快速反应瞬态电压尖峰，有效降低对电子元件的冲击。

* 高能量吸收能力：SMBJ8.0A 8V 具有较高的能量吸收能力，能够有效吸收瞬态电压尖峰的能量，保护电子元件免受损坏。

* 紧凑的封装尺寸：SMBJ封装技术使SMBJ8.0A 8V 拥有紧凑的封装尺寸，便于安装和使用。

* 可靠性高：SMBJ8.0A 8V 采用严格的工艺和材料，具有很高的可靠性，能够确保长时间稳定工作。

四、工作原理

TVS二极管的工作原理是利用雪崩效应。当瞬态电压尖峰出现时，TVS二极管的反向偏置电压会急剧升高，超过其雪崩击穿电压，导致其进入雪崩击穿状态。在雪崩击穿状态下，TVS二极管能够吸收瞬态电压尖峰的能量，并将其转换为热能，从而有效地降低瞬态电压尖峰对电子元件的冲击。

五、应用领域

SMBJ8.0A 8V 适用于各种电子电路的过电压保护，例如：

* 电源电路：保护电源电路免受瞬态电压尖峰的损坏，提高电源电路的稳定性和可靠性。

* 通信设备：保护通信设备免受雷击和电磁干扰，提高通信设备的稳定性和可靠性。

* 工业控制设备：保护工业控制设备免受瞬态电压尖峰的损坏，提高工业控制设备的稳定性和可靠性。

* 汽车电子：保护汽车电子系统免受电磁干扰，提高汽车电子系统的稳定性和可靠性。

* 消费电子产品：保护消费电子产品免受电源波动和电磁干扰，提高消费电子产品的稳定性和可靠性。

六、使用注意事项

* 在使用SMBJ8.0A 8V 之前，请仔细阅读其参数资料和使用说明书。

* 选择合适的TVS二极管，使其工作电压和能量吸收能力满足应用需求。

* TVS二极管应与被保护的电子元件并联连接，确保瞬态电压尖峰能有效地被吸收。

* TVS二极管应安装在合适的散热环境中，避免过热导致失效。

* 在使用TVS二极管时，应注意安全操作，避免触电事故。

七、总结

辰达半导体(MDD)SMBJ8.0A 8V SMB(DO-214AA) 单向TVS二极管是一款高性能、高可靠性的瞬态电压抑制器，适用于各种电子电路的过电压保护。它具有高瞬态电压抑制能力、快速响应速度、高能量吸收能力、紧凑的封装尺寸和高可靠性等优点，是电子电路过电压保护的理想选择。

八、扩展内容

* TVS二极管的选择：选择TVS二极管时，需要考虑其工作电压、能量吸收能力、封装尺寸、响应时间等参数，以及应用场景、环境温度等因素。

* TVS二极管的安装：TVS二极管应与被保护的电子元件并联连接，并安装在合适的散热环境中。

* TVS二极管的测试：TVS二极管的测试方法包括静态测试和动态测试，静态测试主要测试其工作电压、能量吸收能力等参数，动态测试主要测试其响应时间、钳位电压等参数。

九、参考文献

* 辰达半导体(MDD)官方网站

* TVS二极管技术手册

* 过电压保护技术应用指南

十、关键词

TVS二极管、瞬态电压抑制器、SMBJ、辰达半导体、过电压保护、电子元件、雷击、电磁干扰、电源电路、通信设备、工业控制设备、汽车电子、消费电子产品。