辰达半导体(MDD) TVS 二极管 SMBJ8.5A 8.5V SMB(DO-214AA) 单向参数资料详解

辰达半导体(MDD) SMBJ8.5A 8.5V SMB(DO-214AA) 是一款单向瞬态电压抑制二极管 (TVS)，专为保护敏感电子设备免受瞬态电压的影响而设计。本文将详细介绍该器件的参数资料，并对其性能进行科学分析，旨在帮助读者更全面地了解该产品的特性及应用。

# 一、产品概述

SMBJ8.5A 8.5V 属于 MDD 公司的 SMBJ 系列 TVS 二极管，采用 SMB (DO-214AA) 封装，具有以下特点：

* 单向保护： 该器件仅能抑制正向电压，对反向电压没有保护作用。

* 低钳位电压： 8.5V 的钳位电压可以有效保护敏感电路免受高压冲击。

* 高电流容量： 8.5A 的峰值脉冲电流使其能够吸收强大的瞬态能量。

* 快速响应时间： 纳秒级的响应速度可以迅速抑制瞬态电压。

* 低泄漏电流： 低泄漏电流保证了器件在正常工作状态下的低功耗。

* 紧凑尺寸： SMB 封装非常小巧，适合空间有限的应用场合。

# 二、技术参数

| 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

|---|---|---|---|

| 钳位电压 (Vcl) | 8.5 | 9.3 | V |

| 浪涌电流 (Ipp) | 8.5 | 10 | A |

| 泄漏电流 (Ir) | - | 10 | μA |

| 正向电压 (Vf) | - | 1.1 | V |

| 反向电流 (Ir) | - | 1 | μA |

| 结电容 (Cj) | - | 2.5 | pF |

| 工作温度 (Top) | -40 | +150 | ℃ |

| 存储温度 (Tstg) | -65 | +150 | ℃ |

# 三、工作原理

TVS 二极管利用 PN 结的反向击穿特性来吸收瞬态电压。当瞬态电压超过二极管的钳位电压时，PN 结会发生击穿，将大量的瞬态能量导入到二极管内部，从而限制电压升高，保护敏感电路。

# 四、性能分析

1. 钳位电压

SMBJ8.5A 的钳位电压为 8.5V，这意味着当瞬态电压超过 8.5V 时，二极管会开始导通，将电压钳位在 8.5V 左右。这个钳位电压需要根据保护电路的耐压水平选择，保证在瞬态电压发生时，不会对电路造成损坏。

2. 浪涌电流

SMBJ8.5A 的峰值脉冲电流为 8.5A，能够吸收强大的瞬态能量。这个参数决定了二极管能够承受的瞬态电压的能量大小。选择合适的浪涌电流，可以有效确保二极管能够完全吸收瞬态能量，避免因能量过大而损坏器件。

3. 泄漏电流

SMBJ8.5A 的泄漏电流为 10μA，保证了器件在正常工作状态下的低功耗。泄漏电流过大会导致器件发热，降低其可靠性，甚至会影响电路的正常工作。

4. 响应时间

TVS 二极管的响应时间通常在纳秒级，能够快速抑制瞬态电压。SMBJ8.5A 的响应时间足够快，可以有效保护敏感电路免受高频瞬态电压的影响。

# 五、应用场合

SMBJ8.5A 8.5V 适用于各种需要瞬态电压保护的电子设备，例如：

* 电源电路： 抑制电源线路上的浪涌电流和电压尖峰，保护电源电路的安全稳定运行。

* 数据传输线路： 抑制数据传输线路上的噪声和干扰，保证数据的准确传输。

* 通讯设备： 抑制无线通讯设备中出现的瞬态电压，防止设备故障。

* 工业控制设备： 抑制工业控制设备中出现的瞬态电压，提高设备的可靠性。

* 汽车电子： 抑制汽车电子线路上的瞬态电压，保护电子控制系统和传感器。

# 六、注意事项

* 安装： 应注意器件的极性，将阳极连接到电路的正极，阴极连接到电路的负极。

* 散热： 为了保证器件的正常工作，需要考虑器件的散热问题，尤其是当器件承受较大能量的瞬态电压时。

* 并联： 在一些需要更高电流容量的应用场合，可以将多个 TVS 二极管并联使用，提高整体电流容量。

* 选型： 在选用 TVS 二极管时，需要根据保护电路的具体参数，选择合适的钳位电压、浪涌电流、泄漏电流等参数。

# 七、总结

SMBJ8.5A 8.5V 是一款性能优异的单向 TVS 二极管，能够有效保护敏感电路免受瞬态电压的影响。该器件具有低钳位电压、高电流容量、快速响应时间、低泄漏电流等特点，适用于各种电子设备的瞬态电压保护。在选用和使用该器件时，需要认真考虑其技术参数、工作原理和注意事项，以确保其能够发挥最佳的保护效果。