一、研发战略布局

扬杰(YANGJIE)始终将研发创新作为公司发展的核心驱动力，构建了“技术领先、产品创新、质量优先”的研发战略框架。公司研发覆盖从芯片设计、工艺开发、封装优化、产品测试到可靠性评估的全流程，已形成多个具备自主知识产权的技术平台。

核心研发方向包括：

• 快恢复二极管（FRD） 和 肖特基二极管（SBD） 芯片结构优化

• 超低导通电阻MOSFET 的沟道设计与栅氧工艺提升

• 高可靠性ESD保护器件 的低电容技术研究

• 车规级功率器件 的平台级设计与认证体系构建

• 面向 GaN、SiC等第三代半导体材料 的前瞻布局

二、专利成果与技术积累

截至目前，扬杰(YANGJIE)已累计申请并获得300+项国内外专利，涵盖核心芯片结构、封装形式、热管理、器件保护等关键技术领域。

专利类型构成：

代表性发明专利包括：

• 一种低反向恢复时间的快恢复二极管结构及其制备方法

• 一种MOSFET器件的多层金属互联结构与封装工艺

• 一种适用于高速信号接口的低电容ESD保护芯片设计方案

这些专利不仅提升了产品技术壁垒，也构成了扬杰在国际市场参与竞争的重要护城河。

三、研发体系与人才梯队

扬杰(YANGJIE)在江苏扬州设立了国家级企业技术中心和江苏省功率半导体器件工程技术研究中心，拥有多个实验室与中试线，具备从芯片流片到封测验证的完整闭环能力。

核心研发资源：

• 研发人员超过500人，其中博士/硕士比例达35%以上

• 与中科院、电子科技大学、东南大学等机构开展联合研发

• 建立海外技术引进机制，吸收国际先进设计与封装人才

• 年研发投入占营收比例超8%，显著高于行业平均水平

四、技术平台成果转化

扬杰通过自有研发平台将技术积累转化为高性能、可靠性的商用产品，广泛应用于如下领域：

• 5G通信设备：低电容ESD器件、超快恢复二极管

• 汽车电子：AEC-Q101认证SBD/MOS系列

• 工业控制与电源管理：高耐压MOSFET与整流桥

• 消费电子：高密度封装MOS+TVS一体化解决方案

此外，扬杰也持续推进功率集成（Power IC）平台建设，逐步向智能电源管理与高集成芯片方向迈进。

五、未来研发展望

面对以AI、车载、储能为代表的新兴应用趋势，扬杰将在以下领域重点发力：

• 推进 SiC/GaN器件商用化落地，完善第三代半导体产品线

• 深化 系统级封装（SiP） 与 集成保护模块（IPM） 技术研究

• 布局 汽车电子SoC 与智能电源模块平台

• 强化国际标准化专利布局，提升全球技术话语权

结语

扬杰(YANGJIE)以持续的技术积累和清晰的研发战略构建了扎实的创新根基。其在功率半导体核心技术上的深耕，不仅巩固了其在国内市场的领导地位，也为其走向全球市场奠定了坚实基础。未来，扬杰有望凭借深厚的专利技术体系与不断迭代的产品平台，在全球半导体格局中赢得更多技术主动权。