一、扬杰科技发展概况

扬杰科技成立于2006年，是国内少数具备IDM模式（集设计、晶圆制造、封测一体化）的功率半导体企业之一。公司专注于二极管、整流器、MOSFET、IGBT和SiC器件的研发与产业化，广泛应用于汽车电子、新能源、工业控制、通信设备等领域。

近年来，扬杰在技术积累、产线建设和国际化布局方面取得了显著进展，成功跻身中国功率器件国产化替代的第一梯队。

二、最新产品发布

1. 8英寸IGBT芯片与模块

扬杰于近期完成了自主研发的8英寸IGBT芯片与模块产品的试产，这标志着其在高端功率芯片制造工艺上的突破。新一代IGBT产品采用Trench Field Stop结构，具备低导通压降、低开关损耗和高可靠性等优点，特别适用于新能源汽车主逆变、电机控制器和工业变频设备。

公司在8英寸晶圆产线的投入和建设，不仅大幅提升了产能和产品一致性，也为后续SiC功率器件的迭代提供了良好的基础。

2. SiC功率器件及驱动模块

碳化硅（SiC）作为新一代功率器件材料，具备高压、高频、高温特性，已成为新能源汽车和储能领域的核心技术方向。扬杰正在推进自有SiC芯片与模块平台的研发，首批SiC器件产品已进入测试阶段。

其中包括基于1200V和650V等级的SiC MOSFET、二极管及相应的车规级驱动模块。这些产品能够满足高可靠性要求，未来将在新能源整车平台和光伏储能逆变器中批量应用。

3. FRED（快恢复二极管）产品线拓展

为适应高频开关应用需求，扬杰加快了FRED（Fast Recovery Epitaxial Diode）产品的技术升级。目前其FRED系列已全面覆盖600V、1200V、1700V电压平台，广泛应用于功率模块续流保护、高速整流等场景。

产品特性方面，具有极低的反向恢复电荷和极快的开关速度，同时维持较低的正向压降，确保在高效率、高频率系统中具有优异表现。

4. 高性能MOSFET产品升级

扬杰不断优化其MOSFET产品平台，最新一代车规级MOSFET产品已达到国际领先水平，导通电阻可低至3.5 mΩ·cm²，广泛适用于BMS、电机驱动、DC/DC转换器等车载应用场景。

不仅如此，产品还通过了AEC-Q101认证，并拥有多项电性能专利，稳定性和耐压能力显著提升，可有效替代进口产品。

三、核心技术亮点

1. 完整的IDM一体化能力

扬杰是国内少数拥有4/6/8英寸晶圆制造、先进封测线及自主芯片设计能力的功率器件企业，实现从硅片到成品的全流程垂直整合。这种IDM模式不仅可控制成本，还能在技术研发和产品一致性方面形成闭环，提高良率和市场响应速度。

在制造能力方面，公司持续投资智能化工厂，引入自动化晶圆检测、工艺调控系统及MES生产管理系统，提升运营效率与交付能力。

2. 多品类产品平台化建设

扬杰不断推动产品平台标准化与模块化。目前已形成低压至高压MOSFET、分立式IGBT、快恢复二极管、TVS、肖特基等器件矩阵，产品种类齐全、可快速响应下游客户的不同需求。

特别是在新能源汽车、光伏逆变、储能电站、充电桩等应用中，产品组合具备从分立器件到模块整体解决方案的能力，增强了公司在终端客户体系中的粘性。

3. SiC产业链战略布局

扬杰已建成首条碳化硅芯片工艺线，布局包括外延片采购、芯片制造、封装测试与模块集成在内的完整链条。在封装形式上，也涵盖TO、DFN、SOT、模块封装等多种形式，适配不同系统设计需求。

未来，扬杰计划在车规级SiC模块领域深耕，构建自主IP模块与系统联合优化平台，加速国产SiC产品上车。

4. 国际化双品牌战略

公司通过“YANGJIE”与“MCC”双品牌在国内外市场进行差异化运营：前者主要聚焦亚太及中国区客户，后者服务欧美及高端客户。目前产品已出口至全球70多个国家和地区，并在越南等地布局封测基地，进一步推动国际化供应链协同。

四、重点应用领域拓展

扬杰科技的新产品正逐步渗透到以下高价值应用领域：

• 新能源汽车：主驱逆变、电池管理系统、OBC车载充电器等；

• 光伏与储能：逆变器、DC/DC转换、MPPT控制器；

• 工业自动化：变频器、伺服电机、电力电子保护；

• 5G通信：基站电源、微型开关电源；

• 消费电子：快充适配器、LED照明驱动、TVS静电保护。

通过定制化平台开发、客户端联合验证和持续技术迭代，扬杰已获得多家头部客户批量认证，增强了产品的市场应用深度与广度。

五、未来发展展望

扬杰科技正在从“元器件制造商”迈向“系统解决方案供应商”，其战略目标清晰：通过打造高端功率器件核心竞争力，逐步构建以Si、SiC为核心的新材料、新结构和新工艺平台，实现技术自主、产品升级、市场全球化。

随着新能源汽车和储能行业的快速发展，对高效率、高可靠性功率器件的需求愈发旺盛，扬杰凭借其IDM体系、产品线丰富性和技术沉淀，有望在未来实现更大规模突破。